TRANSISTOR EFEK MEDAN ( FET )

TRANSISTOR EFEK MEDAN

(FIELD EFFECT TRANSISTOR /FET)

Pendahuluan

            Pada dasarnya transistor terbagi menjadi dua jenis yaitu transistor bipolar dan transistor unipolar. Transistor bipolar telah dibahas pada bab sebelumnya. Transistor bipolar adalah tulang punggung elektronika linier, karena pada beberapa pemakaian linier, transistor bipolar adalah pilihan yang paling baik. Operasi transistor bipolar tergantung pada dua macam muatan yaitu hole dan elektron. Tetapi ada beberapa pemakaian yang akan lebih baik menggunakan transistor unipolar.

Operasi transistor unipolar pada satu macam muatan saja, baik hole ataupun elektron. Salah satu contoh transistor unipolar adalah transistor efek medan (Field Effect Transistor). Bab ini akan membahas FET persambungan (Junction FET)  atau biasa disebut dengan JFET saja. Sedangkan jenis FET yang lain yaitu MOSFET akan dibahas pada bab selanjutnya.

            Bentuk kemasan FET juga sangat mirip dengan transistor bipolar. Untuk itu pada pembahasan ini tidak akan dibahas identifikasi komponen FET, karena sama dengan transistor bipolar.

Hasil Pembelajaran

Setelah mempelajari bahasan ini dan mengerjakan soal-soal latihan yang ada, saudara dapat :  

1. Menjelaskan klasifikasi dasar transistor efek medan (FET).
2. Menggambarkan konstruksi dan menjelaskan operasi dari junction FET (JFET).
3. Menjelaskan tiga cara untuk memberikan tegangan pada JFET dan menjelaskan bagaimana kerjanya.

Kriteria Penilaian

Keberhasilan saudara dalam memahami bab ini diukur dengan kriteria penilaian berikut :

1. Menjelaskan klasifikasi dasar FET
2. Menjelaskan perbedaan mendasar antara transistor bipolar dan FET
3. Menjelaskan perbedaan konstruksi dan prinsip kerja N-JFET dan P-JFET
4. Menjelaskan kurva transkonduktansi dan penggunaannya
5. Menjelaskan cara menggunakan data sheet FET
6. Menjelaskan prinsip kerja dari pembiasan sendiri
7. Menjelaskan prinsip kerja dari bias pembagi tegangan
8. Menjelaskan prinsip kerja dari bias sumber arus

Sumber Pustaka :

1. Albert Paul Malvino, M. Barmawi, M.O. Tjia, 1986, Prinsip-Prinsip Elektronika, Jilid 1, Edisi ketiga, Erlangga, Jakarta.
2. Michael Tooley, Irzam Harmein, 2003, Rangkaian Elektronik Prinsip dan Aplikasi, edisi kedua, Erlangga, Jakarta.
3. Robert T. Paynter, 2006, Introductory Electronic Devices and Circuits Conventional Current Flow, seventh edition, Prenhall Inc. New Jersey USA.
4. Thomas Floyd, David Buchla, 2002, Fundamentals of Analog Circuits, second edition, Prentice Hall Inc. New Jersey, USA.
5. www.alldatasheet.com
6. www.electroniclab.com
7. www.hobbyprojects.com

2.1. Klasifikasi Dasar Transistor Efek Medan

            Transistor efek medan adalah komponen semikonduktor yang memiliki prinsip kerja tegangan masukan mengendalikan arus keluaran. Secara umum komponen ini terbagi menjadi dua yaitu N-Channel dan P-Channel. Tetapi berdasarkan teknologi pembuatannya komponen ini juga terbagi menjadi dua yaitu Junction Field Effect Transistor (JFET) dan Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET). Gambar 2.1 di bawah ini menunjukkan bagan klasifikasi dasar dari keluarga FET.

Gambar 2.1. Klasifikasi dasar keluarga FET

2.2. Struktur Transistor Efek Medan Persambungan (JFET)

            Transistor adalah komponen yang terkendali arus dimana arus basis yang kecil mengandalikan arus kolektor yang besar. Sedangkan transistor efek medan adalah komponen yang terkendali tegangan, dimana tegangan pada terminal gate mengendalikan arus yang besar yang mangalir melalui komponen tersebut. Keduanya (transistor dan FET) dapat digunakan pada amplifier dan juga pada rangkaian switching.

            Transistor efek  medan adalah sebuah komponen semikonduktor yang kerjanya berbeda dengan transistor bipolar. Komponen ini berupa sebuah saluran semikonduktor baik tipe N maupun tipe P yang dihubungkan dengan dua terminal yang disebut sebagai sumber (source) dan pengurasan (drain). Konduktivitas saluran ini dapat dikendalikan melalui medan listrik, yang ditimbulkan dengan menerapkan tegangan listrik pada kaki ketiga dari FET yaitu gerbang (gate). Dalam sebuah junction FET (JFET) gate membentuk sebuah junction PN dengan saluran.

            Gambar 2.2 (a) menunjukkan struktur dasar JFET N-Channel. Penghantar dihubungkan dengan ujung-ujung saluran (N-Channel). Kaki sumber ada di ujung bawah saluran dan kaki pengurasan ada di ujung atas saluran. Saluran ini adalah konduktor, karena N-Channel maka pembawa mayoritasnya adalah elektron bebas. Sedangkan pada P-Channel maka pembawa mayoritasnya adalah hole. Bila tidak ada tegangan luar maka baik N-Channel maupun P-Channel dapat menghantarkan listrik pada kedua arahnya. Dengan kata lain JFET adalah komponen Normally ON. Gambar 2.2 (b) memperlihatkan struktur dasar JFET P-Channel.

            Prinsip kerjanya adalah seperti berikut ini. Lebar saluran yang identik dengan kemampuan menghantar arus dari saluran ini dikendalikan dengan tegangan gate. Jika tidak ada tegangan gate, konduktivitas saluran adalah maksimum. Bila tegangan bias balik diterapkan pada gate maka saluran akan menyempit dan konduktivitas menurun. Lebar saluran dan juga resistansi saluran dikendalikan dengan memvariasikan tegangan gate, sehingga dapat mengendalikan arus drain (I_D) yang besar.  Prinsip kerja seperti ini ditunjukkan pada gambar 2.3. Simbol skematik komponen JFET N-Channel dan JFET P-Channel ditunjukkan pada gambar 2.4 (a) dan (b).

Gambar 2.4. Simbol JFET (a) N-Channel (b) P-Channel

2.3. Karakteristik JFET

2.3.1. Kurva Karakteristik Drain

            Kurva karakteristik drain menyatakan besar arus drain (I_D) yang terjadi terhadap tegangan drain-source (V_DS). Kurva yang terjadi mirip dengan kurva kolektor dari transistor bipolar, hanya variabel pengendalinya yang berbeda yaitu tegangan gate.

            Pada saat tegangan gate 0V, jika V_DD ditambah (V_DS juga ikut bertambah), I_D akan bertambah sebanding dengan pertambahan tegangan V_DS. Pada daerah ini hanya resistansi channel yang berpengaruh. Besarnya resistansi saluran ini dapat diubah dengan memberi tegangan pada gate, sehingga JFET biasa disebut juga sebagai resistor terkendali tegangan. Setelah mencapai nilai tegangan tertentu pertambahan arus berhenti dan I_D menjadi konstan meskipun tegangan V_DS terus ditambah. Tegangan pada saat arus berhenti bertambah (titik B) dinamakan tegangan Pinch-Off (V_P). Apabila tegangan ini ditambah terus maka pada suatu saat I_D akan mulai bertambah dengan sangat cepat dengan sedikit pertambahan tegangan V_DS. Keadaan ini dinamakan breakdown (dadal). Biasanya JFET beroperasi pada daerah arus tetap. Rangkaian untuk memperoleh karakteristik JFET ditunjukkan pada gambar 2.5 (a) sedangkan kurva karakteristik Drain ditunjukkan pada gambar 2.5 (b).

Gambar 2.5 (a) Rangkaian bias untuk menggambar karakteristik JFET

(b) Karakteristik arus Drain terhadap tegangan V_DS.

Apabila gate diberi tegangan (bias balik/negatif), maka nilai konstan arus drain I_D akan berkurang. Semakin negatif tegangan gate arus drain akan semakin berkurang, sehingga suatu saat akan tercapai harga tegangan dimana arus drain menjadi nol. Tegangan V_GS yang menyebabkan arus drain menjadi nol disebut tegangan Cut-Off (V_GS(off)). JFET harus dioperasikan pada daerah antara V_GS = 0 dan V_GS(off).

Pada JFET V_GS(off)  dan V_P selalu sama besarnya, hanya tandanya yang berbeda. Dalam lembaran data biasanya hanya mencantumkan salah satu antara V_GS(off) atau V_P.

Contoh 1:

JFET pada gambar 2.5 (a) memiliki V_GS(off) = -4V dan I_DSS = 12 mA. Tentukan nilai minimum dari tegangan V_DD yang dapat menempatkan FET pada daerah arus konstan, jika R_D = 560 Ω dan V_GS = 0 !

Penyelesaian :

 Karena V_GS(off) = -4 V, maka V_P = 4V, yang merupakan juga nilai minimum dari V_DS agar FET bekerja memiliki arus yang konstan.

Dengan V_GS = 0, maka arus konstannya adalah I_DSS = 12 mA.

Tegangan yang ada pada R_D akan sama dengan

                        V_RD = (12mA)(560Ω) = 6,7 V

Dengan demikian tegangan V_DD harus sama dengan

                        V_DD = V_DS + V_RD = 4V + 6,7V = 10,7 V

Nilai tegangan ini adalah nilai minimum V_DD untuk membuat V_DS = V_P dan menempatkan FET pada daerah arus konstan.

2.3.2. Kurva Transkonduktansi JFET

            Karakteristik transkonduktansi JFET berhubungan langsung dengan karakteristik drain. Keduanya memiliki sumbu Y yang sama yaitu arus drain (I_D), seperti ditunjukkan pada gambar 2.6. Kurva ini tidak berupa garis lurus, yang menyatakan bahwa hubungan antara arus keluaran dan tegangan masukan tidak linier. Jadi transkonduktansi adalah kurva yang menunjukkan perbandingan antara arus drain (I_D) dengan tegangan gate-source (V_GS).

Transkonduktansi adalah besaran AC, sehingga nilainya berbeda untuk setiap titik kurva, dan bisa dihitung dengan perubahan kecil pada arus drain (I_D) dibagi dengan perubahan kecil pada tegangan gate-source (V_GS)

2.3.3. Resistansi dan Kapasitansi Input

            JFET beroperasi dengan tegangan bias balik pada gate-source, sehingga resistansi input pada gate sangat tinggi. Resistansi input yang tinggi ini merupakan keuntungan bagi JFET bila dibandingkan dengan transistor bipolar.

            Lembaran data sering mencantumkan resistansi input JFET pada nilai arus balik gate yang ditentukan, I_GSS pada tegangan gate-source tertentu, sehingga resistansi input dapat dihitung dengan persamaan di bawah ini

                       

Sebagai contoh lembaran data JFET 2N5457 memberikan nilai maksimum dari V_GS = -15V adalah I_GSS = -1nA pada suhu 25⁰C, maka resistansi inputnya adalah

              

            Sementara itu kapasitansi input JFET, C_iss, lebih besar daripada kapasitansi input pada transistor bipolar yang disebabkan oleh bias balik PN junction. Sebagai contoh untuk JFET 2N5457 memiliki C_iss maksimum 7 pF untuk V_GS = 0 V.

Contoh 2:

Lembaran data untuk JFET N-Channel MPF3821 menunjukkan nilai maksimum dari I_GSS = -0,1nA pada 25⁰C untuk V_GS = -30V dan nilai maksimum dari I_GSS = -100nA pada 150⁰C untuk V_GS = -30V. Tentukan resistansi input minimum pada 25⁰C !

Penyelesaian :

                      

2.4. Data Sheet JFET

            Seperti juga transistor bipolar maka komponen JFET juga memiliki lembaran data yang menunjukkan karakteristik dari komponen tersebut. lihat lah data sheet JFET 2N5457.

2.5. Metode Pembiasan JFET

2.5.1. Pembiasan sendiri (Self Biasing)

            Membias JFET relatif mudah. Untuk menetapkan reverse bias bagi gate, dapat dengan menggunakan cara pembiasan sendiri, seperti ditunjukkan pada gambar 2.7. Gate dibias 0V dengan resistor R_G yang dihubungkan dengan ground. Meskipun akan terjadi arus bocor yang sangat kecil pada R_G, akan tetapi dapat diasumsikan bahwa tidak ada arus pada R_G sehingga tidak ada tegangan jatuh pada R_G. Kegunaannya adalah untuk menetapkan agar tegangan gate 0V tanpa dipengaruhi oleh sinyal ac yang akan diumpankan nantinya.

            Untuk mendapatkan tegangan negatif pada gate dapat dibuat dengan menerapkan tegangan positif pada source. Pada N-channel JFET dalam gambar 2.7, I_D akan menghasilkan sebuah tegangan jatuh pada R_S, sehingga terminal source menjadi positif terhadap ground. Karena V_G = 0V dan V_S = I_DR_S, maka tegangan gate-source adalah

                        V_GS = V_G – V_S = 0 – I_DR_S    sehingga V_GS = -I_DR_S 

Hasil ini menunjukkan bahwa tegangan gate-source adalah negatif, sehingga merupakan reverse bias. Tegangan drain terhadap ground ditentukan sebagai berikut :

                        V_D = V_DD - I_DR_D

Karena V_S = I_DR_S, maka tegangan drain-source adalah

                       

V_DS = V_D - V_S

                        V_DS = V_DD – I_D (R_D + R_S)

Contoh 3 :

Tentukan tegangan V_DS dan V_GS pada gambar 2.8 jika diketahui nilai-nilai sebagai berikut : V_DD=10V, R_D=1KΩ, R_G=10MΩ dan R_S=220Ω, dan arus drain yang dihasilkan adalah 5mA!

Penyelesaian :

V_S = I_DR_S = (5mA)(220Ω) = 1,1 V.

V_D = V_DD – I_DR_D = 10V – (5mA)(1KΩ) = 5 V.

Sehingga V_DS = V_D – V_S = 5V – 1,1V = 3,9 V.

Dan V_GS = V_G – V_S = 0 – 1,1V = -1,1V.

Gambar 2.7. Rangkaian Pembiasan Sendiri (Self Biasing)

            Kurva transkonduktansi bisa digunakan untuk menentukan berapa nilai resistansi untuk pembiasan sendiri (self biasing) R_S. Misalnya kita memiliki JFET MPF 3821 yang memiliki kurva transkonduktansi seperti pada gambar 2.8. Gambar garis lurus mulai dari titik asal ke titik dimana V_GS(off) = (-4V) dan dengan I_DSS = 2,5 mA. Kemiringan garis ini digunakan untuk menentukan nilai R_S yaitu

Nilai mutlak dari V_GS yang digunakan dalam perhitungan. Hasilnya adalah nilai R = 1,6 K dengan toleransi 5% dapat digunakan. Atau kalau menggunakan resistansi dengan toleransi 10% bisa menggunakan 1,5K. Titik potong antara garis R dengan kurva transkonduktansi menghasilkan titik Q.

Contoh 4:

Sebuah JFET 2n5457 memiliki spesifikasi sebagai berikut : I_DSS(min) = 1 mA, I_DSS(maks) = 5 mA, V_GS(off)(min) = -0,5V dan V_{GS(off)(maks)} = -6V. Tentukan resistansi untuk pembiasan sendiri bagi JFET ini !

Penyelesaian :

Nilai-nilai resistansi yang mungkin untuk JFET ini adalah

               

Pilihan yang bagus adalah 820 Ω yaitu nilai standar resistansi yang ada di antara kedua nilai ekstrim tersebut. Untuk membuktikannya, gambarkan resistansi ini pada kurva transkonduktansi sehingga diperoleh titik Q minimum dan maksimum. Dari gambar tersebut terlihat jelas bahwa resistansi 820 Ω adalah pilihan yang tepat, baik pada saat titik Q minimum maupun maksimum.

               Gambar 2.9. Kurva Transkonduktansi dengan titik Q minimum dan maksimum

Contoh 5 :

JFET MPF3821 yang ditunjukkan pada gambar 2.10 (a) memiliki kurva transkonduktansi seperti gambar 2.10 (b). Dari kurva tersebut tentukan V_S dan I_D ! Dari hasil ini tentukan nilai V_DS !

Penyelesaian :

Gambarkan garis yang menyatakan R = 2 K, dari titik 0 ke titik (-4V,2mA). Dari gambar tersebut (gambar 2.11 (a)) dapat dilihat bahwa V_GS = -1,8V dan I_D = 0,8mA. Karena V_G = 0 dan V_S=1,8V, maka

                        V_RD = I_D.R_D = (0,8mA)(2,7KΩ) = 2,16V.

                        V_D = V_DD – V_RD = 9V – 2,16V = 6,84V.

                        V_DS = V_D – V_S = 6,84V – 1,8V = 5,04V.

Hasil perhitungan ini dapat digunakan untuk menggambar garis beban pada kurva drain (gambar 2.11 (b)).

Gambar 2.11 (a) Kurva transkonduktansi untuk contoh 5 (b) Garis beban JFET pada kurva Drain

2.5.2. Bias Pembagi Tegangan

            Cara pembiasan yang lain adalah dengan memberikan tegangan gate melalui rangkaian pembagi tegangan. Karena JFET harus dibias dengan tegangan gate-source yang negatif, maka diperlukan resistansi yang lebih besar sebagai resistansi source. Dari gambar 2.13, maka nilai tegangan gate adalah

                        V_G =  x V_DD

            Dalam keadaan normal, tegangan source harus sama atau lebih besar daripada tegangan gate. Arus drain (I_D) mengalir melalui R_D dan R_S. Karena I_D tergantung pada transkonduktansi dari JFET, maka nilai yang tepat dari V_D dan V_S tidak dapat ditentukan dari rangkaian sendiri. Umumnya pada rangkaian amplifier linier JFET didesain agar harga V_DS antara 25% sampai dengan 50% dari V_DD.

Gambar 2.12. Rangkaian bias pembagi tegangan

Contoh 6 :

Misalkan anda sedang mencari kesalahan pada rangkaian JFET 2N5458 seperti pada gambar 2.13. Anda tidak mengetahui kurva transkonduktansi dari JFET tersebut, tetapi anda perlu untuk menentukan bahwa rangkaian dapat bekerja sebagaimana mestinya.

a.      Perkirakan harga untuk V_G dan V_S !

b.       Misalkan anda mengukur tegangan source (V_S) adalah 5,4V. Apakah rangkaian berfungsi seperti perkiraan ? Berdasarkan hasil pengukuran ini, berapakah tegangan drain (V_D) ?

c.       Misalkan JFET tersebut diganti dengan yang baru. Pengukuran terhadap komponen ini menunjukkan tegangan source 4V. Dari pengukuran ini, berapakah tegangan drain (V_D) ?

Gambar 2.13. Rangkaian untuk contoh soal 6

Penyelesaian :

1. V_G =  x V_DD =  x 12V = 2,98V

Jika rangkaian bekerja dengan baik, maka tegangan source harus lebih positif daripada tegangan gate. Misalkan kita perkirakan V_S = 4V.

2. Nilai pengukuran 5,4V pada tegangan source (V_S) bisa jadi mengindikasikan adanya masalah. Nilai ini lebih besar daripada nilai perkiraan dan lebih mendekati setengah dari tegangan V_DD. Karena R_D lebih besar daripada R_S, maka mungkin tegangan V_DS=0, yang mengindikasikan mungkin drain-source terhubung singkat, sehingga menyebabkan tegangan V_D juga sebesar 5,4V.
3. Arus drain pada JFET yang baru

I_D = =  = 2,2 mA

           

Dengan mengurangkan V_RD dari V_DD maka didapat V_D

                        V_D = V_DD - I_D.R_D = 12V – (2,2mA)(2,2KΩ) = 7,16 V

2.5.3. Bias Sumber Arus   

Seperti diketahui transistor dan JFET dalam kurva karakteristiknya memiliki daerah arus konstan. Daerah ini digambarkan dengan garis yang hampir mendatar yang merepresentasikan resistansi dalam dari sumber yang sangat tinggi. Untuk sebagian besar aplikasi JFET dan transistor dapat diasumsikan sebagai sebuah sumber arus ideal.

           

Bias sumber arus banyak digunakan dalam IC, tetapi ia memerlukan banyak transistor. Sebuah transistor berfungsi sebagai sumber arus untuk mendorong arus drain (I_D) agar tetap konstan. Pembiasan sumber arus juga dapat membangkitkan penguatan.

Gambar 2.14 (a) Bias sumber arus dengan FET

(b) Bias sumber arus dengan transistor

            Dua contoh pembiasan sumber arus ditunjukkan pada gambar 2.14. Pada gambar 2.14 (a) Q₂ adalah sumber arus konstan bagi Q₁. Harga arus ditentukan oleh I_DSS Q₂ dan nilai resistansi R_S. Karena harga I_DSS sangat bervariasi, maka harga arus ini akan tergantung pada cara memilih FET sebagai sumber arusnya. Sumber arus tidak mesti menghasilkan arus yang lebih besar daripada I_DSS Q₁, untuk memastikan V_GS Q₁ negatif.

            Pada gambar 2.14 (b) arus dihasilkan oleh transistor bipolar. Karena basis ditanahkan, tegangan emitor akan menjadi -0,7V, sesuai dengan pembiasan maju bagi dioda emitor. Ini berarti ada tegangan konstan melintas R_E, sehingga akan menghasilkan arus yang tetap pada JFET. Arus ini lebih kecil daripada I_DSS Q₁.

Contoh 7 :

Di bawah ini adalah sebuah contoh rangkaian pembiasan sumber arus. Bagaimanakah rangkaian ini bekerja dan berapa I_D ?

Gambar 2.15. Rangkaian untuk contoh soal 7

Penyelesaian :

Seperti terlihat, transistor mendapat bias emitter tetapi tanpa resistansi pada basisnya. Karena basis dihubungkan langsung dengan tanah, maka tegangan emitor -0,7V, sehingga akan selalu ada tegangan sebesar 14,3V melintas R_E. Sehingga arus emitor adalah

                        I_E =  =  = 0,95 mA

Arus ini juga merupakan arus drain pada FET, sehingga I_D = 0,95 mA.

Rangkuman

Ø  FET dapat dibagi menjadi dua yaitu Junction FET (JFET) dan MOSFET. JFET memiliki tegangan bias balik gate-source pada sisi inputnya.

Ø  JFET dibagi menjadi N-Channel dan P-Channel.

Ø  JFET memiliki tiga terminal yaitu drain, gate dan source yang ekivalen dengan kolektor, basis dan emitor pada transistor.

Ø  JFET memiliki resistansi input yang sangat tinggi sesuai dengan tegangan balik pada gate – source.

Ø  JFET adalah komponen yang bersifat normally on. Arus drain dikendalikan dengan tegangan bias pada gate-source.

Ø  Kurva karakteristik drain untuk JFET dibagi dalam daerah ohm dan daerah arus konstan.

Ø  Kurva transkonduktansi JFET digambarkan arus drain sebagai fungsi terhadap tegangan negatif gate-source.

Ø  Rangkaian pembiasan JFET adalah self bias, voltage-divider bias dan current source bias.

Soal-Soal Latihan :

A. Pilihlah jawaban yang anda anggap paling benar !

1. Dalam operasi normal, junction pn gate-source pada JFET mendapat bias

            a. bias balik                            b. bias maju

            c. jawaban a dan b benar      d. jawaban a dan b salah

2. Pada saat tegangan antara gate – source dari JFET nol, maka arus drain

a. nol                                       b. I_DSS

c. I_GSS                                      d. tidak ada jawaban benar

3. Sifat dari JFET yang menyerupai sifat dari super transistor adalah

a. penguatan tinggi                b. distorsi rendah

c. R input tinggi                     d. jawaban a, b, c benar

4. Nilai tegangan drain –source dari JFET pada saat arus drain menjadi konstan pada kondisi tegangan gate – source nol disebut

a. tegangan bias                     b. tegangan pinch-off

c. tegangan saturasi              d. tegangan cut-off

5. JFET terdiri dari dua jenis yaitu

a. NPN dan PNP                    b. Saluran N dan P

c. Jenis D dan E                     d. Tidak ada jawaban benar

6. Pada saat V_GS = V_GS(OFF), maka I_D = .... ?

a. I_DSS                                      b. Nol

c. Maksimum                         d. V_P

7. Jenis pembiasan apakah yang menggunakan sebuah tegangan supply –V_GG ?

a. Self biasing                         b. Gate biasing

c. Base biasing                       d. Voltage-divider biasing

8. Jenis pembiasan apakah yang mempergunakan sebuah resistor pada Source ?

a. Self biasing                         b. Gate biasing

c. Voltage-divider biasing     d. Jawaban a dan c benar

9. Transkonduktansi adalah perbandingan antara

a. ΔI_D terhadap ΔV_DS            b. ΔV_GD terhadap ΔI_D

c. ΔI_D terhadap ΔV_GS d. ΔV_GS terhadap ΔV_DS

10. Arus yang mengalir dari Drain-Source pada sebuah JFET dikendalikan dengan mengubah-ubah tegangan bias balik yang diterapkan pada

a. Source-Drain                     b. Drain-Gate

c. Gate-Source                       d. Basis-Emitor

B. Jawablah pertanyaan-pertanyaan di bawah ini !

1. Apa yang dimaksud dengan JFET ? Jelaskan dua jenis JFET !
2. Mengapa sebuah JFET dikatakan sebagai alat yang terkendali tegangan? Jelaskan apa maksudnya !
3. Bagaimana hubungan antara lebar saluran dan arus drain pada JFET ?
4. Apa yang dimaksud dengan tegangan pinch-off (V_P) dan V_GS(OFF) ?
5. Apa yang dimaksud dengan I_DSS ? Apa perbedaan I_D dengan I_DSS ?
6. Apa yang disebut dengan transkonduktasi pada JFET ? Jelaskan !
7. Mengapa tegangan gate-source N-JFET harus selalu negatif atau nol ? Jelaskan !
8. Bagaimana cara mengetes N-JFET dengan menggunakan ohmmeter ?
9. Ada berapa jenis rangkaian pembiasan pada JFET ? Sebutkan !
10. Sebuah N-JFET dibias dengan rangkaian pembiasan sendiri (resistor gate dihubungkan dengan ground) sehingga memiliki V_GS = -2V,
1. Berapakah nilai V_S ?
2. Berapakah nilai V_GS(off) jika V_P = 6V